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J-GLOBAL ID：200903077509956349

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 八重樫 誠司 ,  川崎 健 ,  中田 健
Applicant, Patent owner： ユーディナデバイス株式会社
Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005105163
Publication number (International publication number)：2006286954
Application date： Mar. 31, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】 クラックや位置合わせ精度の低下を防止すること、ダメージ起因の電気的特性が劣化を防ぐことが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板(10)上に形成された第1の半導体層(15)と、第1の半導体層(15)上に、選択的に成長されたGaN系半導体層(25)と、GaN系半導体層(25)の側面に形成されたゲート電極(28)と、GaN系半導体層(25)上に形成されたソース電極(30)またはエミッタ電極と、第1の半導体層のGaN系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極(34)またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置とその製造方法である。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

基板上に開口部を有するマスク層と、 基板上に前記マスク層をマスクに選択的に形成されたGaN系半導体層と、 該GaN系半導体層上に形成されたゲート電極並びにソース電極またはエミッタ電極と、 前記GaN系半導体層上または下に形成されたドレイン電極またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (8)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618B

F-Term (57)：

5F102FA00 ,  5F102GB04 ,  5F102GB05 ,  5F102GC07 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GS01 ,  5F102HC02 ,  5F110AA26 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ02 ,  5F140AA00 ,  5F140AA26 ,  5F140AC23 ,  5F140AC24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BB03 ,  5F140BB06 ,  5F140BC11 ,  5F140BC13 ,  5F140BD04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BF44 ,  5F140BH25 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-052573   Applicant：日亜化学工業株式会社
• GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-211044   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (11)

• 窒化ガリウム系半導体装置を製造する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-054172   Applicant：住友電気工業株式会社
• GaN-AlNをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-524138   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-006013   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法、電力増幅器、並びに、無線通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-149000   Applicant：シャープ株式会社
• GaN系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-137458   Applicant：古河電気工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-073715   Applicant：住友化学工業株式会社
• 電界効果トランジスタの結晶層構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-195346   Applicant：エス・シー・テクノロジー株式会社
• 特開昭64-007516
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264607   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225077   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-092439