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J-GLOBAL ID：200903049203211621

半導体レーザ装置

Inventor：
高橋 孝志

About 高橋 孝志


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 柏木 慎史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999220649
Publication number (International publication number)：2001044563
Application date： Aug. 04, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 導波路吸収損失が小さく、かつ、共振器端面の光学損傷を抑制する赤色半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 ストライプ領域のGaInPエッチングストップ層106上に、AlGaInP光導波層109を形成することで、ストライプ領域の実屈折率が増加して実屈折率導波型半導体レーザを構成できる。また、ストライプ領域外側の電流ブロック層は活性層105よりもバンドギャップの大きいAlGaInPから形成されており、レーザ光の吸収損失を低減できる。さらに、AlGaInP電流ブロック層107,108のAl組成が第2導電型AlGaInPクラッド層110のAl組成と略等しくなっており、Al組成が増加していないので、レーザ共振器端面の光学損傷レベルが増加することもない。
Claim (excerpt)：
GaAs又はGaAsとGaPの間の格子定数を有する第1導電型基板上に、第1導電型AlGaInPクラッド層、GaInAsP活性層及びGaInPエッチングストップ層を有し、電流注入するストライプ領域の両側の前記GaInPエッチングストップ層上にAlGaInP電流ブロック層を有し、前記AlGaInP電流ブロック層上及びストライプ領域の前記GaInPエッチングストップ層上に、AlGaInP光導波層及び第2導電型AlGaInPクラッド層が形成されてなり、前記AlGaInP電流ブロック層のAl組成が、前記第2導電型AlGaInPクラッド層のAl組成と略等しいことを特徴とする半導体レーザ装置。
F-Term (7)：
5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA53 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-134469   Applicant：住友電気工業株式会社
  • 特開昭63-278395
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161794   Applicant：住友電気工業株式会社
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