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J-GLOBAL ID：200903050027554248

導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置

Inventor：
上坂 裕之

About 上坂 裕之

, 
斧 高一

About 斧 高一


Applicant, Patent owner：
関西ティー・エル・オー株式会社

About 関西ティー・エル・オー株式会社


Agent (3)： 武石 靖彦 ,  村田 紀子 ,  ▲吉▼▲崎▼ 修司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002201025
Publication number (International publication number)：2004047207
Application date： Jul. 10, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【課題】導電体近接領域で表面波励起プラズマを発生する方法と装置を提供しようとする。【解決手段】チャンバー11内において少なくともその一端がマイクロ波供給口12aに近接するように配置された導電体からなるターゲット16と、そのマイクロ波供給口内に配置された誘電体窓15と、前記ターゲットの表面に近接してプラズマ相を初期生成する手段と、前記ターゲットに負バイアス電圧を印加することにより前記初期生成されたプラズマ相とターゲット表面との間における低電子密度シース領域を拡大するためのバイアス電源18とを備え、プラズマ相21と低電子密度シース領域との界面における表面波励起プラズマにより、ターゲット自身又はプラズマ相に接して配置された場合の被加工材料20の表面をプラズマ加工するように構成した表面波励起プラズマの発生装置である。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
導電体からなるターゲットを少なくともその一端がマイクロ波供給口に近接するように配置し、前記ターゲットの表面に近接してプラズマ相を初期生成し、前記マイクロ波供給口からマイクロ波を放出し且つ前記ターゲットに負バイアス電圧を印加することにより、プラズマ相に対向してターゲット表面の近傍に生成される電子密度の低いシース領域を拡大し、前記放出されたマイクロ波を前記シース領域とプラズマ相との境界に沿って前記一端から他端にかけて伝播させることにより、前記ターゲットを表面波アンテナとして機能させ、表面波励起プラズマを発生することを特徴とする表面波励起プラズマの発生方法。
IPC (2)：
H05H1/46 ,  C23C14/35
FI (2)：
H05H1/46 B ,  C23C14/35 F
F-Term (7)：
4K029DC12 ,  4K029DC13 ,  4K029DC33 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029DC41 ,  4K029DC48
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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