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J-GLOBAL ID：200903050355942964

半導体素子の製造方法及び半導体素子

Inventor： 郭 奎煥 ,  高 世鍾 ,  黄 景碩 ,  吉 俊仍 ,  朴 相五 ,  金 大勲 ,  全 相文 ,  ▲鄭▼ 昊均
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999178505
Publication number (International publication number)：2000031114
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 効率的な伝導体プラグの形成及び層間絶縁膜の段差の最小化を実現することができる半導体素子の製造方法に関する。【解決手段】 本発明は、半導体基板220上でコンタクトホールを埋没させながら絶縁膜上に所定の伝導体膜を形成する段階と、伝導体膜が形成された半導体基板220を回転させる段階と、回転する半導体基板220上にH2O2,O2,IO4-,BrO3,ClO3,S2O8-,KIO3,H5IO6,KOH及びHNO3からなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の酸化剤、HF,HN4OH,H3PO4,H2SO4,NH4F及びHClからなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の増強剤、並びに緩衝液を所定の比率で混合したエッチング液を供給し、伝導体膜がコンタクトホール内にのみ存在し、絶縁膜上には存在しないように伝導体膜をエッチングする段階とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に所定の絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜内にコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを埋没しながら前記絶縁膜上に所定の伝導体膜を形成する段階と、前記伝導体膜が形成された半導体基板を回転させる段階と、前記回転する半導体基板上にH2O2,O2,IO4-,BrO3,ClO3,S2O8-,KIO3,H5IO6,KOH及びHNO3からなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の酸化剤、HF,HN4OH,H3PO4,H2SO4,NH4F及びHClからなるグループの中から選択された少なくとも一つ以上の増強剤、並びに緩衝液を所定の比率で混合したエッチング液を供給して、前記伝導体膜が前記コンタクトホール内にのみ存在し、前記絶縁膜上には存在しないように前記伝導体膜をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/306 J ,  H01L 21/308 F ,  H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

• 配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-151481   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-218500   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-095521   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-008933   Applicant：株式会社リコー
• 誘電体分離基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067097   Applicant：宇部興産株式会社
• 回転式半導体基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-266985   Applicant：ソニー株式会社
• ワークの処理方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-213385   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• エッチング装置及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-200718   Applicant：富士通株式会社
• スピンエッチング方法及びスピンエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-191125   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平2-191328
  
• 特開平2-000318
  
• スピン処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-316118   Applicant：株式会社東芝, 株式会社芝浦製作所
• 特開平4-044227
  
• 特開平3-286530