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J-GLOBAL ID：200903050620515500

ルテニウム-シリコン混合膜を形成する方法

Inventor：
酒井 達也

About 酒井 達也

, 
岡田 幸子

About 岡田 幸子

, 
松木 安生

About 松木 安生


Applicant, Patent owner：
JSR株式会社

About JSR株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003310453
Publication number (International publication number)：2005079468
Application date： Sep. 02, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：
【課題】 低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。【解決手段】 上記課題は、(A)特定のルテニウム化合物及び(B)環状シラン化合物を原料として使用することを特徴とする、ルテニウム-シリコン混合膜を形成する方法によって達成される。(A)特定のルテニウム化合物とは、例えば下記式(1)で表される化合物である。(Cp’)2Ru ・・・(1)ここで、Cp’は下記式(2)で表される配位子であり、2つあるCp’は同一でも互いに異なっていてもよい。【化1】ここで、R1は単素数1〜6のアルキル基もしくはフッ化アルキル基、トリメチルシリル基またはフッ素原子であり、aは0〜5の整数であり、R1が複数存在する場合には同一でも互いに異なっていてもよい。【選択図】 なし。
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(1)、(3)、(7)または(9)で表される化合物から選択される少なくとも一種のルテニウム化合物、及び (B)環状シラン化合物 を原料として使用することを特徴とする、ルテニウム-シリコン混合膜を形成する方法。 (Cp’)2Ru ・・・(1) ここで、Cp’は下記式(2)で表される配位子であり、2つあるCp’は同一でも互いに異なっていてもよい。
IPC (4)：
H01L21/285 ,  C23C16/30 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205
FI (4)：
H01L21/285 C ,  C23C16/30 ,  H01L21/288 M ,  H01L21/88 M
F-Term (36)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB00 ,  4M104DD45 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF18 ,  4M104HH09 ,  5F033HH00 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP26 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033XX14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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