Pat
J-GLOBAL ID:200903053726841979
光モジュール
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
谷 義一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999288335
Publication number (International publication number):2001111156
Application date: Oct. 08, 1999
Publication date: Apr. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 導波路を有する基板上に光素子を搭載した絶縁層を有する光モジュールにおいて、絶縁層による熱抵抗を削減し、もしくは、その他の部分の熱伝導を高めることで、光モジュールの熱抵抗を改善する。【解決手段】 光素子7を固定および駆動するための半田または電気配線部分6の面積が光素子7の面積より大きくすることで、光素子からの熱を拡散させる。または、接地されたシリコン基板1と光素子7を半田部分6で電気的に接続し、光素子搭載部分4の光素子とシリコン基板間に絶縁層5を設け、それ以外の部分では絶縁層を薄くするか、または、取除いて放熱用の半田をシリコン基板上に引き回すようにする。または、絶縁層5を介してシリコン基板上に搭載された光素子、および光素子を駆動するための電気配線の一部若しくは全部の周囲を透明(光素子の波長で)樹脂で覆い、さらにその上に熱伝導率の高い樹脂で覆う。
Claim (excerpt):
導波路を有するシリコン基板上に絶縁層を介して光素子を搭載した光モジュールにおいて、前記光素子を固定および駆動するための半田または電気配線部分が該光素子と前記絶縁層間に介在し、該半田または電気配線部分の面積が前記光素子の面積より大きいことを特徴とする光モジュール。
IPC (5):
H01S 5/022
, G02B 6/122
, G02B 6/42
, H01L 31/02
, H01L 33/00
FI (5):
H01S 5/022
, G02B 6/42
, H01L 33/00 N
, G02B 6/12 B
, H01L 31/02 B
F-Term (34):
2H037AA01
, 2H037BA02
, 2H037BA11
, 2H037CA00
, 2H037DA03
, 2H037DA06
, 2H037DA36
, 2H037DA38
, 2H047KA04
, 2H047MA07
, 2H047QA02
, 2H047RA08
, 2H047TA05
, 2H047TA11
, 5F041AA33
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA20
, 5F041DA45
, 5F041DA46
, 5F041DA55
, 5F041EE25
, 5F041FF14
, 5F073AB25
, 5F073EA29
, 5F073FA13
, 5F073FA22
, 5F073FA29
, 5F088BA16
, 5F088BA20
, 5F088BB01
, 5F088JA03
, 5F088JA06
, 5F088JA14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-245207
Applicant:日本電気株式会社
-
光アセンブリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-221433
Applicant:株式会社日立製作所, 日立電線株式会社, 日立東部セミコンダクタ株式会社
-
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-028840
Applicant:日亜化学工業株式会社
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Cited by examiner (11)
-
光半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-245207
Applicant:日本電気株式会社
-
光デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-021651
Applicant:オリンパス光学工業株式会社
-
特開昭63-306402
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