プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064975
Publication number (International publication number)：1999260596
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】容量結合放電プラズマと、高周波による電磁波放射によるプラズマの複合放電により電子エネルギを制御し、活性種の発生を制御する。電磁放射電力を導体間の高周波電圧により制御し、電磁波放射電力分布をハード構造とは独立に制御する。高周波印加部分に関しては表面の温度、イオンエネルギを制御し、その他の処理室内壁面は表面の温度を制御し、発塵、経時変化を防止する。【効果】プラズマ処理装置において、電子のエネルギ状態が独立に制御できるようになり、これにより活性種の発生を制御し、高選択エッチングと高精度、高速エッチングあるいは膜質と成膜速度など従来技術では両立が難しい特性の両立がはかれるようにした。プラズマの密度分布をハード構成を変えずに制御でき、大口径基板全面で微細なパターンを高精度にエッチングできるようになった。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理ガス供給手段と、プラズマ処理室内排気手段と、プラズマ発生手段と、発生したプラズマに処理基板をさらしプラズマ処理する手段とを有するプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生手段が容量結合形放電手段と、電磁波放射手段とからなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (7)：

H05H 1/46 L , H05H 1/46 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-153020 Applicant：ソニー株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-294657 Applicant：日本電気株式会社
プラズマを用いた基体処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237048 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (9)

プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
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