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J-GLOBAL ID：200903054548150858

化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
吉川 俊英

About 吉川 俊英

, 
今西 健治

About 今西 健治


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004332284
Publication number (International publication number)：2006147663
Application date： Nov. 16, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】 特性変動が極めて小さく経時劣化の少ない信頼性の高い化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaN層4は、電子走行層として機能するものであり、少なくともその一部において、フォト・ルミネッセンス測定により、500nm〜600nm帯の発光強度(A)とGaNバンド端の発光強度(B)との比(A/B)が0.2以下の値を示すように形成されている。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
トランジスタ構造を有する化合物半導体装置であって、 基板と、 前記基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成されたAlGaNを含む電子供給層と を有し、 前記バッファ層は、AlNを含む第1のバッファ層と、GaNを含む第2のバッファ層と、前記第1のバッファ層と前記第2のバッファ層との間に設けられたAlGaNを含む第3のバッファ層とが積層形成されてなることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (24)：
5F045AA05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB14 ,  5F045CA07 ,  5F102FA08 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (8)
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