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J-GLOBAL ID：200903084012841757

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003333504
Publication number (International publication number)：2005099456
Application date： Sep. 25, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 孤立溝(トレンチ)パターン及び密トレンチパターン形成において広いプロセスウインドウ確保が可能なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)ノルボルナンラクトン構造を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)一般式(A1)で表される繰り返し単位及び一般式(A2)で表される繰り返し単位の少なくとも1種の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により一般式(I)で表される酸を発生する化合物、及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (4)：
G03F7/039 ,  C08F220/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (4)：
G03F7/039 601 ,  C08F220/00 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
F-Term (44)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA11P ,  4J100BA12P ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA51P ,  4J100BC02Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC58P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
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