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J-GLOBAL ID:200903089254192860
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004037770
Publication number (International publication number):2005227645
Application date: Feb. 16, 2004
Publication date: Aug. 25, 2005
Summary:
【課題】孤立溝(トレンチ)パターン及び密トレンチパターン形成において広いプロセスウインドウ確保が可能なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定の繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物及び(C)溶剤を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(A1)で表される繰り返し単位及び下記一般式(A2)で表される繰り返し単位の内の少なくとも1種類の繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により下記一般式(X)で表される酸を発生する化合物及び
(C)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F7/004
, C08F120/10
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (5):
G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, C08F120/10
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
F-Term (35):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC03
, 2H025FA17
, 4J100AJ02S
, 4J100AK32S
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AL08S
, 4J100AR32R
, 4J100BA03R
, 4J100BA03S
, 4J100BA11P
, 4J100BA11R
, 4J100BA15S
, 4J100BA16S
, 4J100BA20P
, 4J100BC08Q
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC09S
, 4J100BC12R
, 4J100BC53P
, 4J100BC58P
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-165085
Applicant:信越化学工業株式会社
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高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-244664
Applicant:信越化学工業株式会社
-
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-321128
Applicant:富士写真フイルム株式会社
Cited by examiner (7)
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