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J-GLOBAL ID：200903029838008244

ZnSe系半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
西野 勇

About 西野 勇

, 
梅津 一之

About 梅津 一之

, 
佐川 徹

About 佐川 徹


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997088930
Publication number (International publication number)：1998270806
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ZnSe系化合物半導体とする発光素子の電極部分におけるコンタクト抵抗が低く良好なオーミック接触が得られ、発熱の低減、素子の長寿命化が可能なZnSe系半導体レーザおよびその製造方法の提供。【解決手段】 n-ZnSe基板2上にn-ZnSeバッファ層4、n-MgZnSSeクラッド層7、n-ZnSe光ガイド層9を成長後、活性層としてZnCdSe層10を成長し、その上にp-ZnSe光ガイド層12、p-MgZnSSeクラッド層13、p-ZnSeバッファ層15を成長し、コンタクト層としてp-ZnSe/p-ZnTe超格子層(傾斜組成層)16を成長し、p-ZnTe層17でキャップし、さらに蒸着法でp側にはPd/Pt/Au電極21、n側にはTi/Pt/Au電極23を堆積させたものである。
Claim (excerpt)：
コンタクト層の抵抗値が10-7Ωcm-2以下、駆動電圧が3V以下、駆動電流が50mA以下であることを特徴とするZnSe系半導体レーザ。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/477
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/477
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (27)
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