Pat
J-GLOBAL ID:200903055417811170
メモリインターフェイス制御回路
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
山下 穣平
, 志村 博
, 永井 道雄
, 山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004092268
Publication number (International publication number):2005276396
Application date: Mar. 26, 2004
Publication date: Oct. 06, 2005
Summary:
【課題】 RAMの配置制限を緩和し、グリッジノイズ耐性にすぐれた、メモリインターフェース制御回路を提供する。【解決手段】 可変遅延回路4は、データストローブ信号の遅延を調整し、制御回路13は、補助信号を生成し、可変遅延回路3は、補助信号SDFの遅延を調整し、マスク生成回路5は、遅延されたデータストローブ信号及び遅延された補助信号を基に、マスク信号を生成し、論理積回路6は、遅延されたデータストローブ信号にマスク信号を適用することにより、グリッジのないデータストローブ信号を生成する。ライトアドレス信号生成回路7で、グリッジのないデータストローブ信号を基に、フリップフロップ群9を制御する制御信号を生成し、フリップフロップ群9は、制御信号に従って読出しデータを格納する。セレクタ10は、リードアドレス信号に従って、フリップフロップ群9からのデータを選択する。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
リードコマンドを入力してから所定遅延時間が経過した後にバーストデータを出力し、前記リードコマンドの入力後に始まり前記バーストデータの出力が始まる直前に終了する所定期間にプリアンブル状態となり、前記バーストデータの出力期間においては前記バーストデータの各タイムスロット毎に変化するトグル状態となり、前記バーストデータの出力期間の直後から所定期間ポストアンブル状態となるデータストローブ信号を出力するメモリから前記バーストデータ中の各タイムスロットのデータを読み出すメモリインターフェース制御回路において、
前記データストローブ信号を基に、前記バーストデータの各タイムスロットのデータの確定期間にトグルし、該トグルが終了した時から、早くとも、前記バーストデータ中の各タイムスロットのデータを一時的に保持するバッファ回路から前記バーストデータの全タイムスロットのデータの読出しが終了する時までの期間、トグル終了時のレベルを維持する第2次データストローブ信号を生成する第2次データストローブ信号生成回路を備えることを特徴とするメモリインターフェース制御回路。
IPC (1):
FI (2):
G11C11/34 354Z
, G11C11/34 362S
F-Term (12):
5M024AA22
, 5M024AA49
, 5M024BB27
, 5M024BB33
, 5M024DD83
, 5M024JJ03
, 5M024JJ34
, 5M024JJ48
, 5M024KK35
, 5M024PP01
, 5M024PP02
, 5M024PP07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-306775
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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メモリ制御装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-238364
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-240930
Applicant:三菱電機株式会社
-
メモリ制御装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-372231
Applicant:株式会社リコー
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-019831
Applicant:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
-
半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-139092
Applicant:三星電子株式会社
-
メモリインターフェイス制御回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-078407
Applicant:日本電気株式会社
-
メモリ制御装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-162963
Applicant:株式会社日立製作所
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インターフェイス回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-211750
Applicant:株式会社ルネサステクノロジ
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Cited by examiner (6)
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半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-019831
Applicant:日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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半導体メモリ装置のデータ入力回路及びデータ入力方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-139092
Applicant:三星電子株式会社
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-240930
Applicant:三菱電機株式会社
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ソースシンクロナス転送方式
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-156110
Applicant:日本電気株式会社
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-306775
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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メモリインターフェイス制御回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-078407
Applicant:日本電気株式会社
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