半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003331362
Publication number (International publication number)：2004317478
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】過度な加速度でビームに振動等が加わっても、応力を低減し耐衝撃性に優れた半導体加速度センサを提供する。【解決手段】中央部3aからビーム3bが導出されて枠体部3cへと接続されてなり、開口部3dに、開口部3dと枠体部3cとの縁部3da内を架け渡すストッパ3eが構成されたシリコン膜3と、中央部3aの下面に形成される懸吊部4a及び、その懸吊部4aを取り囲む空隙部4b並びに、その空隙部4bの外側に、枠体部3cの下面に形成される枠体部4cが構成されたシリコン酸化膜4と、加速度による力を受ける質量体夫々の上面が開口部3dから露出し、当該上面の一部が、懸吊部4aの下面と係合して懸架される質量部5a及び、枠体部4cの下面に、質量体が一定の空隙を持って内部に格納される支持部5bが構成されたシリコン基板5とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

中央部の四方からビームが導出されて枠体部へと接続され、ビームと枠体部とに囲まれて形成される4つの開口部及び、それらの開口部それぞれに、当該開口部と前記枠体部との縁部内を架け渡すストッパが構成されたシリコン膜と、前記中央部の下面に形成される懸吊部及び、その懸吊部を取り囲むように空隙部が穿設され、さらにその空隙部の外側に、シリコン膜の枠体部の下面に形成される枠体部が構成されたシリコン酸化膜と、加速度による力を受ける4つの質量体それぞれの上面が前記空隙部を介して前記開口部から露出し、当該上面の一部が、前記懸吊部の下面と係合して懸架される質量部及び、シリコン酸化膜の枠体部の下面に、前記質量体が一定の空隙を持って内部に格納される支持部が構成されたシリコン基板と、を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P15/12 , G01P15/18 , H01L29/84

FI (3)：

G01P15/12 D , H01L29/84 A , G01P15/00 K

F-Term (16)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA27 , 4M112CA33 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA10 , 4M112DA18 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA13 , 4M112EA18 , 4M112FA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-295416 Applicant：株式会社フジクラ
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025677 Applicant：松下電工株式会社
半導体式加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-287936 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (7)

特開平4-184260
複合デバイス製造方法、及び複合デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-291076 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
微小駆動素子の製造方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267342 Applicant：株式会社リコー

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