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J-GLOBAL ID：200903056945447991

ダイヤモンド配線基板およびその製造方法

Inventor： 西林 良樹 ,  松浦 尚 ,  今井 貴浩
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター ,  住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000010708
Publication number (International publication number)：2001203429
Application date： Jan. 19, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 材料中最高の熱伝導率を持つダイヤモンドに多層配線を実現する技術を提供する。【解決手段】 本発明のダイヤモンド配線基板10は、ダイヤモンド基板1と、そのダイヤモンド基板1中に、金属元素が10nm以上の厚みでかつ1020cm-3以上の濃度で存在してなる注入層2、3、4とを備えている。この注入層2、3、4は、金属元素1MeV以上の高エネルギで、かつ1016cm-2以上の高ドーズ量でイオン注入することで形成される。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドと、前記ダイヤモンド中に、金属元素が10nm以上の厚みでかつ1020cm-3以上の濃度で存在してなる導電層とを備えた、ダイヤモンド配線基板。

IPC (2)：

H05K 1/03 610 ,  H05K 3/10

FI (2)：

H05K 1/03 610 B ,  H05K 3/10 Z

F-Term (1)：

5E343BB58

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• ダイヤモンド半導体素子およびその電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156693   Applicant：松下電器産業株式会社
• 配線または接続部の形成方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-196577   Applicant：ソニー株式会社
• 導電領域の形成方法及び薄膜素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-066124   Applicant：三洋電機株式会社
• ダイヤモンドの平坦化法および研磨法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-034632   Applicant：住友電気工業株式会社
• 回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-025490   Applicant：株式会社東芝
• ダイヤモンドのドーピング
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-173554   Applicant：デビアスインダストリアルダイアモンドデイビジヨン(プロプライエタリイ)リミテツド
• ダイアモンドプレートとその表面に金属層を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-351392   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• ダイヤモンドのn型及びp型の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-306803   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド多層配線基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-193794   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-257794
  
• 特開昭60-208852
  
• 特開昭58-160860