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J-GLOBAL ID：200903057658850358

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
佐藤 弘之

About 佐藤 弘之

, 
宮脇 誠

About 宮脇 誠


Applicant, Patent owner：
スタンレー電気株式会社

About スタンレー電気株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999097154
Publication number (International publication number)：2000294837
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、オーミック接触が得られると共に、高い反射率特性が得られるようにしたフリップチップタイプの窒化ガリウム系化合物半導体素子のp電極および該電極を用いた発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 透光性基板上にp型層が表面側となるようにして窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長したフリップチップタイプ素子のp電極であって、前記p電極をAg及び/またはPtの金属電極が100オングストローム以下の厚みのNi金属領域を介してp型窒化ガリウム系化合物半導体層と接触し、且つ、前記半導体の発光ピーク波長における反射率が30%以上とする。
Claim (excerpt)：
透光性基板上にp型層が表面側となるようにして窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長し、該半導体の前記p型層側にp電極とn電極を配設して透光性基板側から光を取出すフリップチップタイプの窒化ガリウム系化合物半導体素子のp電極であって、前記p電極は、Ag及び/またはPtの金属電極が100オングストローム以下の厚みのNi金属領域を介してp型窒化ガリウム系化合物半導体層と接触し、且つ、前記半導体の発光ピーク波長における反射率が30%以上であることを特徴とする、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のp電極。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01S 3/18 677
F-Term (23)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA09 ,  5F073AB16 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F073FA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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