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J-GLOBAL ID：200903057861005140

酸化シリコン膜およびその形成方法と成膜装置

Inventor：
湯田 克久

About 湯田 克久

, 
田邉 浩

About 田邉 浩


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997131072
Publication number (International publication number)：1998321619
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：
【要約】【課題】 膜中含有水分量が電気特性、絶縁膜信頼性に悪影響を与えない程度の量である酸化シリコン膜を形成する。【解決手段】 酸化シリコン膜のラマン散乱分光分析で得られるラマンスペクトルの、ピーク半値幅×ピーク高で表されるピーク面積強度に関し、970cm-1付近に現れるSi-OH帰属ピークの面積強度A1 の、820cm-1付近に現れるO-Si-O帰属ピークの面積強度A2 に対する比(A1 /A2 )が0.21以下となっている酸化シリコン膜を形成すれば、低固定電荷密度で絶縁膜信頼性も高いものが形成できる。
Claim (excerpt)：
酸化シリコン膜のラマン散乱分光分析で得られるラマンスペクトルの、(ピーク半値幅)×(ピーク高)で表されるピーク面積強度に関し、970cm-1付近に現れるSi-OH帰属ピークの面積強度A1 の、820cm-1付近に現れるO-Si-O帰属ピークの面積強度A2 に対する比(A1 /A2 )が0.21以下であることを特徴とする酸化シリコン膜。
IPC (4)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-022767   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-112865   Applicant：ソニー株式会社
  • 成膜方法およびこれに用いる成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-092837   Applicant：ソニー株式会社
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