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J-GLOBAL ID：200903058584543691

ルテニウム電極と二酸化チタン誘電膜とを利用する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法

Inventor：
黄 哲 盛

About 黄 哲 盛


Applicant, Patent owner：
財団法人ソウル大学校産学協力財団

About 財団法人ソウル大学校産学協力財団


Agent (3)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006272057
Publication number (International publication number)：2007110111
Application date： Oct. 03, 2006
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：
【課題】簡単な構造を持つ物質でありつつ高い誘電率を持つTiO2誘電膜を利用する半導体素子のキャパシタ及び低温工程が可能なその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成されたRu下部電極と、Ru下部電極が酸化されて形成されたものであって、ルチル結晶構造を持つRuO2前処理膜と、RuO2前処理膜の結晶構造によってルチル結晶構造に形成され、不純物でドーピングされたTiO2誘電膜と、TiO2誘電膜上に形成された上部電極と、を備える半導体素子のキャパシタ。本発明による半導体素子のキャパシタ製造方法によれば、半導体基板にRu下部電極を形成した後、Ru下部電極の表面を酸化させてルチル結晶構造を持つRuO2前処理膜を形成する。RuO2前処理膜上にRuO2前処理膜の結晶構造に沿ってルチル結晶構造でTiO2誘電膜を形成しつつTiO2誘電膜に不純物をドーピングする。その後、TiO2誘電膜上に上部電極を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板に形成されたRu下部電極と、 前記Ru下部電極が酸化されて形成されたものであって、ルチル結晶構造を持つRuO2前処理膜と、 前記RuO2前処理膜の結晶構造によってルチル結晶構造に形成され、不純物でドーピングされたTiO2誘電膜と、 前記TiO2誘電膜上に形成された上部電極と、を備える半導体素子のキャパシタ。
IPC (3)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/316
FI (3)：
H01L27/10 651 ,  H01L27/10 621C ,  H01L21/316 X
F-Term (29)：
5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F083AD15 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD56 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083JA02 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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