半導体装置および薄膜キャパシタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001168938
Publication number (International publication number)：2002368130
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。信頼性の高い薄膜キャパシタを提供する。信頼性の高いシステム・イン・パッケージを提供する。【解決手段】第一キャパシタ電極と、前記第一キャパシタ電極に接するように形成された酸化チタンを主構成材料とするキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜に接するように形成された第二キャパシタ電極とを備え、前記第一キャパシタ電極と前記第二キャパシタ電極に酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムを主構成材料とする導電性酸化膜を用いる。

Claim (excerpt)：

第一キャパシタ電極に接するように形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜に接するように形成された第二キャパシタ電極とを備え、前記キャパシタ絶縁膜は酸化チタンを主構成材料とし、前記第一キャパシタ電極および前記第二キャパシタ電極は酸化ルテニウムまたは酸化イリジウムを主構成材料とする導電性酸化膜である薄膜キャパシタ。

IPC (3)：

H01L 21/8242 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108

FI (4)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 681 F

F-Term (22)：

5F083AD21 , 5F083AD31 , 5F083AD49 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA56 , 5F083KA20 , 5F083MA02 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR52 , 5F083PR57 , 5F083ZA12 , 5F083ZA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-119265 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体メモリ装置の製造方法及び半導体メモリ装置並びにそれを用いた応用システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-051535 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭55-102242

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