窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001051348
Publication number (International publication number)：2002252421
Application date： Feb. 27, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】量産性に優れ、かつ、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】凹凸形状の表面を有するサファイア基板1と、サファイア基板1の凹凸形状の凸部上のみに接触するように形成されたマスク層2と、サファイア基板1の凹部上およびマスク層2上に形成されたアンドープGaN層4と、アンドープGaN層4上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層を構成する各層5〜13とを備える。

Claim (excerpt)：

凹凸形状の表面を有する基板と、前記基板の凹凸形状の凸部上のみに接触するように形成されたマスク層と、前記基板の凹部上および前記マスク層上に形成された第1窒化物系半導体層と、前記第1窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備えた、窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01L 21/205

FI (2)：

H01S 5/323 , H01L 21/205

F-Term (22)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF20 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DB02 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-080288 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-218122 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-292684 Applicant：株式会社東芝

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