半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002009291
Publication number (International publication number)：2003218468
Application date： Jan. 17, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Alを導入する必要がなく、青、緑といった可視光の波長領域のレーザ光を室温で連続発振するGaN系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】少なくともクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、クラッド層がGaNにより構成されるとともに、ガイド層及び活性層がInGaNにより構成されてなる半導体レーザ素子である。活性層のIn組成はガイド層のIn組成よりも高く、且つ活性層のIn組成は20原子%以上である。クラッド層のバンドギャップと活性層のバンドギャップのエネルギー差を0.5eV以上とし、活性層のIn組成を20〜30原子%、活性層厚を1〜10nmとすることにより青色半導体レーザ素子となり、活性層のIn組成を30〜50原子%、活性層厚を1〜10nmとすることにより緑色半導体レーザ素子となる。

Claim (excerpt)：

少なくともクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、クラッド層がGaNにより構成されるとともに、ガイド層及び活性層がInGaNにより構成され、活性層のIn組成がガイド層のIn組成よりも高く、且つ活性層のIn組成が20原子%以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (9)：

5F073AA04 , 5F073AA45 , 5F073AA73 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073EA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-139495 Applicant：日亜化学工業株式会社
ミニバンドを有する半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-052135 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-117948 Applicant：シャープ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

イントロダクトリートーク:「窒化物光半導体のフロンティア」 -材料潜在能力の極限発現-

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