窒化物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000099796
Publication number (International publication number)：2001057460
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【目的】本発明のレーザ素子は、光学特性、特に遠視野像におけるアスペクト比が改善され、光情報機器への応用を容易にし、出力特性、素子信頼性は従来と同等に良好なものとすることである。【構成】本発明のレーザ素子は、n型窒化物半導体からなるn側光ガイド層7と、活性層8と、p型窒化物半導体からなるp側光ガイド層9とが積層された構造を有し、前記p側光ガイド層がストライプ状の突出部を有すると共に、該突出部の上にp型窒化物半導体層を有し、該p側光ガイド層の突出部の膜厚が1μm以下であることで、ストライプ状の導波路を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともn型窒化物半導体からなるn側光ガイド層と、活性層と、p型窒化物半導体からなるp側光ガイド層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、前記p側光ガイド層がストライプ状の突出部を有すると共に、該突出部の上にp型窒化物半導体層を有し、該p側光ガイド層の突出部の膜厚が1μm以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/22 , H01S 5/323

FI (2)：

H01S 5/22 , H01S 5/323

F-Term (9)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073BA04 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA21 , 5F073EA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-051232 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-053428 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-032106 Applicant：日本電気株式会社

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