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J-GLOBAL ID:200903060663220932

基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 福島 祥人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001270858
Publication number (International publication number):2003077824
Application date: Sep. 06, 2001
Publication date: Mar. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】 基板表面の膜を効率よくかつ短時間で除去することができる基板処理装置を提供することである。【解決手段】 図1に示す基板処理装置は、処理チャンバ7を備える。処理チャンバ7内には、処理対象となる基板100を保持するための基板保持部6、2流体ノズル1、オゾンノズル2、エアーノズル3、過酸化水素水ノズル4およびスチームノズル5が設けられている。それぞれのノズル1〜5は、処理チャンバ7内の基板保持部6に保持された基板100の表面に流体(気体および液体)を均一に供給できるように配設されている。処理チャンバ7の上部には、処理チャンバ7内に紫外線を供給するための紫外線ランプ22が設けられている。この紫外線ランプ22が照射する紫外線の働きにより処理チャンバ7内に供給されるオゾン(O3)からオゾンよりも酸化力の強いOHラジカルが生成される。
Claim (excerpt):
基板を収容する収容部と、前記収容部内に収容された基板に水蒸気を含む流体を供給する第1の供給手段と、前記収容部内に収容された基板にオゾンを含む流体を供給する第2の供給手段と、前記第1および第2の供給手段による流体の供給前に前記収容部内に収容された基板に過酸化水素を含む流体を供給する第3の供給手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (5):
H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (7):
G03F 7/42 ,  H01L 21/304 643 C ,  H01L 21/308 Z ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 S ,  H01L 21/306 Z ,  H01L 21/306 R
F-Term (17):
2H096AA24 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096JA04 ,  2H096LA02 ,  2H096LA03 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043CC16 ,  5F043DD08 ,  5F043DD13 ,  5F043EE27 ,  5F043EE35 ,  5F043GG10 ,  5F046MA03 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 基板処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-000982   Applicant:東京エレクトロン株式会社
  • レジスト除去方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-326627   Applicant:日本電気株式会社
  • 特開昭62-009630
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