電子デバイス用基板および電子デバイス

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石井陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002254790
Publication number (International publication number)：2004095843
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

【課題】Si(100)基板上に、金属薄膜と、c面単一配向で高結晶性のウルツァイト型結晶構造の機能性薄膜とを有し、優れた特性を示す電子デバイスを提供する。【解決手段】基板2上に、面心立方構造の(111)配向膜または六方最密構造の(0001)配向膜である金属薄膜4と、ウルツァイト型構造の(0001)配向膜であるウルツァイト型薄膜5とを有し、これら両薄膜は、面内における結晶方位が相異なる少なくとも2種の結晶粒を含む多結晶膜であり、金属薄膜4が(111)配向膜である場合、金属薄膜4面内の<1-10>軸とウルツァイト型薄膜5面内の<11-20>軸とが平行であり、金属薄膜4が(0001)配向膜である場合、金属薄膜4面内の<11-20>軸とウルツァイト型薄膜5面内の<11-20>軸とが平行である電子デバイス用基板。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも表面がSi(100)単結晶からなる基板上に、面心立方構造または六方最密構造を有する金属薄膜と、ウルツァイト型結晶構造を有するウルツァイト型薄膜をこの順で有し、金属薄膜は、面心立方構造の(111)面が基板表面と平行となるように配向した(111)配向膜であるか、六方最密構造の(0001)面が基板表面と平行となるように配向した(0001)配向膜であり、ウルツァイト型薄膜は、(0001)面が基板表面と平行になるように配向した(0001)配向膜であり、金属薄膜およびウルツァイト型薄膜は、面内における結晶方位が相異なる少なくとも2種の結晶粒を含む多結晶膜であり、金属薄膜が(111)配向膜である場合、金属薄膜面内の<1-10>軸とウルツァイト型薄膜面内の<11-20>軸とが平行となるように、ウルツァイト型薄膜が金属薄膜上にエピタキシャル成長しており、金属薄膜が(0001)配向膜である場合、金属薄膜面内の<11-20>軸とウルツァイト型薄膜面内の<11-20>軸とが平行となるように、ウルツァイト型薄膜が金属薄膜上にエピタキシャル成長している電子デバイス用基板。

IPC (7)：

H01L41/08 , C30B29/68 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/24 , H03H9/17

FI (7)：

H01L41/08 D , C30B29/68 , H03H9/17 F , H01L41/22 A , H01L41/22 Z , H01L41/18 101Z , H01L41/08 C

F-Term (15)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077BE13 , 4G077DA11 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077HA11 , 4G077SA04 , 4G077SB01 , 5J108BB07 , 5J108BB08 , 5J108CC11 , 5J108EE13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

電子デバイス用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-167686 Applicant：ティーディーケイ株式会社
白金薄膜形成方法、その方法により製造された基板、その基板を利用した電子素子及びその電子素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085686 Applicant：東洋セメント株式会社
圧電薄膜共振子、フィルタおよび電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-262839 Applicant：株式会社村田製作所

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