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J-GLOBAL ID：200903086993848066

半導体発光素子

Inventor：
中原 健

About 中原 健


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (2)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003430220
Publication number (International publication number)：2004266258
Application date： Dec. 25, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：
【課題】 従来用いられているITO電極膜は発光した光の透過率は高いものの、ITO電極膜とp型GaN系半導体層との間でショットキー型コンタクトとなり、電流が均一に流れなくなる。本発明は、GaN系半導体発光素子の出射側においてITO電極膜に替わる透明電極を形成し、GaN系半導体発光素子の発光効率、出射効率を向上させることを目的とする。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、n型GaN系半導体層とp型GaN系半導体層とで挟まれたGaN系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、Ga又はBがドープされたMgzZn1-zO(0≦z<1)電極膜を備える半導体発光素子である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
n型GaN系半導体層とp型GaN系半導体層とで挟まれたGaN系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、GaがドープされたMgzZn1-zO(0≦z<1)電極膜を備える半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (8)：
5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (7)
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