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J-GLOBAL ID:200903061175048914
半導体チップおよびその作製方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002368947
Publication number (International publication number):2004200522
Application date: Dec. 19, 2002
Publication date: Jul. 15, 2004
Summary:
【課題】転写技術を用いることにより、薄膜形成された複数の素子形成層が集積化された半導体チップを提供する。【解決手段】本発明では、転写技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚50μm以下の素子形成層を別の基板上に転写し、さらに別の基板から剥離させた膜厚50μm以下の素子形成層をその上に重ねて転写することを繰り返すことにより、従来の3次元的に実装させる場合に比べて薄膜化を実現しつつ高集積化させた半導体チップを形成することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
熱伝導性基板上に膜厚50μm以下の複数の素子形成層を有する半導体チップであって、
熱伝導性基板上に第1の接着層を介して備えられた膜厚50μm以下の第1の素子形成層と、
前記第1の素子形成層に接して形成された熱伝導性膜と、
前記熱伝導性膜上に第2の接着層を介して備えられた膜厚50μm以下の第2の素子形成層とを有することを特徴とする半導体チップ。
IPC (7):
H01L27/00
, H01L21/336
, H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
, H01L27/12
, H01L29/786
FI (8):
H01L27/00 301B
, H01L27/00 301C
, H01L27/12 B
, H01L27/12 C
, H01L29/78 627D
, H01L25/08 Z
, H01L29/78 623Z
, H01L29/78 613Z
F-Term (53):
5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110BB11
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD15
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE23
, 5F110FF04
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN71
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ04
, 5F110QQ09
, 5F110QQ11
, 5F110QQ16
, 5F110QQ23
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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半導体装置並びにその製造方法、半導体パッケージ並びに電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-345825
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-236811
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-310689
Applicant:新光電気工業株式会社
-
半導体装置の製法および超薄型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-043075
Applicant:ローム株式会社
-
特表平7-504782
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-257992
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-245970
Applicant:日立化成工業株式会社
-
パワ-モジュ-ル用基板およびその基板を用いたパワ-モジュ-ル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-021480
Applicant:住友電気工業株式会社
-
積層型半導体装置放熱構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-170348
Applicant:日本電気株式会社
-
3次元デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-049883
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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