レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003194256
Publication number (International publication number)：2005031233
Application date： Jul. 09, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】レジストパターンを形成した後に加熱等の処理を行うことにより当該レジストパターンを狭小させるシュリンクプロセスにおいて、良好なレジストパターンを形成することができるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いた積層体及びレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むレジスト組成物であって、前記(A)成分が、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を含有し、かつ120〜170°Cの範囲内のガラス転移温度を有する樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

支持体上に、レジスト組成物からなるレジスト層を設け、該レジスト層にレジストパターンを形成した後、該レジストパターン上に、水溶性ポリマーを含有する水溶性被覆形成剤からなる水溶性被覆を設け、該水溶性被覆を加熱して収縮させることによって、前記レジストパターンの間隔を狭小させるシュリンクプロセスに用いられる、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むレジスト組成物であって、前記(A)成分が、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を含有し、かつ120〜170°Cの範囲内のガラス転移温度を有する樹脂であることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (5)：

G03F7/039 , C08F220/18 , C08F220/26 , G03F7/40 , H01L21/027

FI (5)：

G03F7/039 601 , C08F220/18 , C08F220/26 , G03F7/40 511 , H01L21/30 570

F-Term (45)：

2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA11 , 2H096BA20 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA05 , 2H096JA04 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03R , 4J100BA11Q , 4J100BA16P , 4J100BA20P , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC09S , 4J100BC12P , 4J100BC12S , 4J100BC53Q , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA25 , 4J100JA38 , 5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ポジ型感放射線性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-221889 Applicant：東レ株式会社
ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-343029 Applicant：富士写真フイルム株式会社
微細パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-339310 Applicant：東京応化工業株式会社

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