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J-GLOBAL ID：200903062843864270

ウエハレベルの半導体装置及びその作製方法

Inventor：
坪崎 邦宏

About 坪崎 邦宏


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 金山 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002207632
Publication number (International publication number)：2004055628
Application date： Jul. 17, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】基板に実装された状態での温度変化によるSiチップクラックや半田ボール内のクラックが生じにくい構造で、製造コストの面でも有利な構造の、半導体チップの電極パッド形成側の面に、外部端子を再配置した半導体装置を提供する。同時に、そのような半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】半導体チップの電極パッド形成面上に配設された絶縁層を貫通する導電性ポストを設け、前記絶縁層の外部側に配設した外部接続端子と前記電極パッドとを、前記導電性ポストにより、あるいは、前記導電性ポストとこれに接続した前記絶縁層の少なくとも一面側ないし両面側に設けられた配線層とにより、電気的に接続しているウエハレベルの半導体装置であって、前記絶縁層は絶縁性のゴム弾性体からなり、導電性ポストは導電性のゴム弾性体からなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体チップの電極パッド形成面上に配設された絶縁層を貫通する導電性ポストを設け、前記絶縁層の外部側に配設した外部接続端子と前記電極パッドとを、前記導電性ポストにより、あるいは、前記導電性ポストとこれに接続した前記絶縁層の少なくとも一面側ないし両面側に設けられた配線層とにより、電気的に接続しているウエハレベルの半導体装置であって、前記絶縁層は絶縁性のゴム弾性体からなり、導電性ポストは導電性のゴム弾性体からなることを特徴とするウエハレベルの半導体装置。
IPC (2)：
H01L23/12 ,  H01L21/3205
FI (2)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/88 T
F-Term (26)：
5F033HH11 ,  5F033HH22 ,  5F033HH23 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ22 ,  5F033JJ23 ,  5F033KK08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX10 ,  5F033XX17 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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