フォトレジスト剥離液

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998322413
Publication number (International publication number)：2000147794
Application date： Nov. 12, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体素子の配線工程における、ドライエッチング後の残存する無機質基体上のマスク形成されたフォトレジストやレジスト残渣を短時間で除去できるフォトレジスト剥離液および該フォトレジスト剥離液を使用した剥離方法を提供すること。【解決手段】酸化剤0.1〜60重量%、キレート剤0.01〜5重量%を含んでなるフォトレジスト剥離液。

Claim (excerpt)：

酸化剤0.1〜60重量%および、キレート剤0.01〜5重量%含んでなるフォトレジスト剥離液。

IPC (2)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

F-Term (6)：

2H096AA25 , 2H096CA12 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 5F046MA02 , 5F046MA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

マイクロエレクトロニクス基板洗浄用のpH調整された、非イオン性表面活性剤含有アルカリ性クリーナー組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-115235 Applicant：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド
表面処理組成物及び表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-056087 Applicant：三菱化学株式会社
基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-167183 Applicant：三菱化学株式会社

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