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J-GLOBAL ID：200903063900953256

有機半導体を利用した薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

Inventor： 李 容 旭 ,  洪 ▲ムン▼ 杓 ,  柳 旻 成 ,  金 保 成住所:大韓民国
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (2)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005032965
Publication number (International publication number)：2006114862
Application date： Feb. 09, 2005
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：

【課題】薄膜トランジスタ特性を安定的に確保することができる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法の提供。【解決手段】まず、絶縁基板上に遮光膜を島形で形成し、その上部に層間絶縁膜を形成する。次に、ソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、ソース電極とドレイン電極の一部及びソース電極とドレイン電極との間を露出する開口部とドレイン電極を露出する接触孔を有する隔壁を形成する。次に、インクジェット方式で開口部内に有機半導体を形成し、その上部にゲート絶縁膜を形成した後、隔壁の上部にゲート電極を有するゲート線を形成する。次いで、ゲート線を覆ってドレイン電極を露出する保護膜を形成し、保護膜の上部に画素電極を形成する。これにより、薄膜トランジスタの特性を安定的に確保することができる。製造工程を単純化することができ、有機絶縁物質を利用して写真工程のみで隔壁と層間絶縁膜または保護膜を形成するため製造工程を単純化することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成されていてソース電極を有するデータ線と、 前記データ線から分離されているドレイン電極と、 前記絶縁基板上に形成されて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置しており、前記ソース電極とドレイン電極の一部とに接している島形の有機半導体と、 前記有機半導体の上部に形成されており、有機絶縁物質からなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上部に位置しゲート電極を有するゲート線と、 前記ゲート線を覆っており、前記ドレイン電極を露出させる第1接触孔を有する保護膜と、 前記第1接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結されている画素電極と、 を含むことを特徴とする、有機半導体薄膜トランジスタ表示板。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/133 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/05

FI (8)：

H01L29/78 618B ,  G02F1/1335 500 ,  G02F1/1335 505 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 619B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28

F-Term (66)：

2H091FA02Y ,  2H091FA34Y ,  2H091FB02 ,  2H091FB08 ,  2H091FD04 ,  2H091GA07 ,  2H091GA13 ,  2H091GA16 ,  2H091LA03 ,  2H091LA12 ,  2H091LA15 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA46 ,  2H092JB52 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA09 ,  2H092KA13 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092KB26 ,  2H092MA13 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 電子ディスプレイを制御するための電子回路素子を作製する好適な方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-512654   Applicant：イー-インクコーポレイション
• 薄膜トランジスタの製造方法並びにそのような製造方法を用いて製造された薄膜トランジスタ及び液晶表示パネル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-139552   Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 液晶表示装置用電極板及びその製造方法、それを用いた液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-153495   Applicant：凸版印刷株式会社
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-317898   Applicant：株式会社東芝
• 回路の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-506090   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-049466   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• アクティブマトリクス基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-078504   Applicant：鹿児島日本電気株式会社
• 薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-209595   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-358215   Applicant：株式会社東芝
• トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-502343   Applicant：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー