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J-GLOBAL ID：200903065761574078

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
渡辺 聡

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渡辺 修

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降▲旗▼ 智欣

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竹田 好文

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名倉 茂広

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石原 俊信

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山岡 亜夫

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Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001380929
Publication number (International publication number)：2002236366
Application date： Apr. 11, 1997
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【解決手段】 (A):有機溶剤(B):ベース樹脂として酸不安定基を有する高分子化合物がC-O-C基を有する架橋基により架橋されている高分子化合物(C):酸発生剤を含有してなり、上記ベース樹脂が、式(3)で示され、Rが式(4a)で示され、R8及びR9が互いに異なる高分子化合物である化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】【化2】【効果】 本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。
Claim (excerpt)：
(A):有機溶剤(B):ベース樹脂として1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤を含有してなり、上記ベース樹脂が、下記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物のRで示されるフェノール性水酸基の水素原子がとれてその酸素原子が下記一般式(4a)又は(4b)で示されるC-O-C基を有する架橋基により分子内及び/又は分子間で架橋されており、上記酸不安定基と架橋基との合計量が下記一般式(1)のフェノール性水酸基の水素原子全体の平均0モル%を超え80モル%以下の割合であって、重量平均分子量が1,000〜500,000であり、かつ下記式(3)におけるR<SP>4</SP>と下記式(4a)又は(4b)におけるR<SP>8</SP>及びR<SP>9</SP>とが互いに異なると共に、R<SP>5</SP>とR<SP>8</SP>及びR<SP>9</SP>とが互いに同一又は異なるものである高分子化合物であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは水酸基又はOR<SP>3</SP>基を示し、少なくとも1個は水酸基である。R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R<SP>3</SP>は酸不安定基を示す。R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R<SP>6</SP>は炭素数1〜18のヘテロ原子を有していてもよい1価の炭化水素基を示し、R<SP>4</SP>とR<SP>5</SP>、R<SP>4</SP>とR<SP>6</SP>、R<SP></SP><SP>5</SP>とR<SP>6</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>7</SP>は炭素数4〜12の3級アルキル基を示す。また、xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数であり、kは0又は正の整数、mは0又は正の整数であり、nは正の整数であり、k+m+n≦5を満足する数である。p1、p2は正数、q1は正数、q2は0又は正数であり、0<p1/(p1+q1+q2+p2)≦0.8、0<q1/(p1+q1+q2+p2)≦0.8、0≦q2/(p1+q1+q2+p2)≦0.8、p1+q1+q2+p2=1を満足する数である。aは0又は1〜6の正の整数である。x、y、k、m、nはそれぞれ上記と同様の意味を示す。)【化2】(式中、R<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、R<SP>8</SP>とR<SP>9</SP>とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはR<SP>8</SP>、R<SP>9</SP>は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R<SP>13</SP>は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、dは0又は1〜10の整数である。Aは、c価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。cは2〜8、c’は1〜7の整数である。)【化3】(式中、R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基を示し、R<SP>2</SP>は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。また、xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。)
IPC (5)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (29)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC02 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
  • 橋かけポリマー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330237   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
  • 架橋されたポリマー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098487   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
  • パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100310   Applicant：株式会社東芝
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Cited by examiner (10)
  • 橋かけポリマー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330237   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
  • 架橋されたポリマー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098487   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
  • パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100310   Applicant：株式会社東芝
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