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J-GLOBAL ID：200903066711753423

半導体の不純物濃度検査装置及び検査方法

Inventor：
深澤 亮一

About 深澤 亮一


Applicant, Patent owner：
株式会社栃木ニコン

About 株式会社栃木ニコン

, 
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 渡辺 隆男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000184407
Publication number (International publication number)：2002005828
Application date： Jun. 20, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。【解決手段】 半導体の不純物濃度検査装置は、テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、半導体材料からの透過パルス光を検出する光検出手段と、透過パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、分光透過率に基づいてその半導体材料の不純物濃度を算出する演算手段とを備えて構成される。
Claim (excerpt)：
テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、前記半導体材料からの透過パルス光を検出する光検出手段と、前記透過パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、前記分光透過率に基づいて前記半導体材料の不純物濃度を算出する演算手段と、を備えたことを特徴とする半導体の不純物濃度検査装置。
IPC (3)：
G01N 21/35 ,  G01N 21/00 ,  H01L 21/66
FI (3)：
G01N 21/35 Z ,  G01N 21/00 B ,  H01L 21/66 L
F-Term (35)：
2G059AA01 ,  2G059BB16 ,  2G059CC07 ,  2G059CC20 ,  2G059DD13 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059FF01 ,  2G059FF04 ,  2G059FF10 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM08 ,  2G059MM10 ,  2G059MM20 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AA20 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB02 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH32 ,  4M106DH37 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ15 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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