半導体の不純物濃度検査装置及び検査方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡辺隆男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000184407
Publication number (International publication number)：2002005828
Application date： Jun. 20, 2000
Publication date： Jan. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。【解決手段】半導体の不純物濃度検査装置は、テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、半導体材料からの透過パルス光を検出する光検出手段と、透過パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、分光透過率に基づいてその半導体材料の不純物濃度を算出する演算手段とを備えて構成される。

Claim (excerpt)：

テラヘルツパルス光を半導体材料に照射するテラヘルツパルス光源と、前記半導体材料からの透過パルス光を検出する光検出手段と、前記透過パルス光の電場強度の時系列波形から分光透過率を得るテラヘルツ時間領域計測手段と、前記分光透過率に基づいて前記半導体材料の不純物濃度を算出する演算手段と、を備えたことを特徴とする半導体の不純物濃度検査装置。

IPC (3)：

G01N 21/35 , G01N 21/00 , H01L 21/66

FI (3)：

G01N 21/35 Z , G01N 21/00 B , H01L 21/66 L

F-Term (35)：

2G059AA01 , 2G059BB16 , 2G059CC07 , 2G059CC20 , 2G059DD13 , 2G059EE01 , 2G059EE12 , 2G059FF01 , 2G059FF04 , 2G059FF10 , 2G059GG01 , 2G059GG08 , 2G059JJ19 , 2G059JJ20 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 2G059MM08 , 2G059MM10 , 2G059MM20 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AA20 , 4M106BA04 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CB02 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DH32 , 4M106DH37 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ15 , 4M106DJ21 , 4M106DJ23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

テラヘルツのイメージ化の方法と装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-027183 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
検体の3次元情報計測方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-205310 Applicant：富士写真フイルム株式会社
半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-282497 Applicant：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

Far-infrared time-domain spectroscopy with terahertz beams of dielectrics and semiconductors.
量子工学ハンドブック, 19991120, 初版第一刷, p917-918
Far-Infrared Dielectric Properties of Polar Liquids Probed by Femtosecond Terahertz Pulse Spectrosco

Show all

Return to Previous Page