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J-GLOBAL ID：200903067338091462

銅配線構造およびその製造方法

Inventor： 藤井 明子
Applicant, Patent owner： NECエレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 机 昌彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002375606
Publication number (International publication number)：2003257979
Application date： Dec. 25, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】Cu16とバリアメタル12、あるいはCu16とキャップ層19との界面近傍に、不純物15を固溶させる、不純物15を析出させる、非晶質Cu14を存在させるまたはCuとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Cuのエレクトロマイグレーション(EM)に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。

Claim (excerpt)：

配線用の溝の上に形成されたバリアメタル層と、前記バリアメタル層上に形成された配線用のCuまたはCu合金層と、前記CuまたはCu合金層と前記バリアメタル層との第1の界面にできる空孔を減らすために、前記第1の界面に析出している前記Cu中に添加された空孔低減不純物とを備えることを特徴とする銅配線構造。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

F-Term (66)：

4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB37 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD56 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  4M104HH09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033LL02 ,  5F033LL08 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033SS08 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06 ,  5F033XX14 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-242961   Applicant：住友金属工業株式会社

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-097948   Applicant：富士通株式会社
• 金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-117513   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 電子構造内に銅の導電体を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-343165   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-220540   Applicant：松下電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-139499   Applicant：富士通株式会社
• エレクトロマイグレーション耐性が向上し欠陥影響度が少ないサブクォーターミクロンの銅相互接続
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-143914   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• チップ及びパッケージの相互接続用銅合金ならびにその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-164895   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開平1-248538