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J-GLOBAL ID:200903068128059945
超小型電力変換装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
篠部 正治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004256950
Publication number (International publication number):2006073868
Application date: Sep. 03, 2004
Publication date: Mar. 16, 2006
Summary:
【課題】切断時に、バリやクラックおよび剥離の発生を防止して、薄膜磁気誘導素子の固着強度を高め、信頼性を向上させることができる超小型電力変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】コイルと端子電極を形成した後、フェライト基材100を幅の広い第2溝12と、この第2溝12に接する第1溝11をダイシングソーで形成することで、第1、第2端子電極5、6に形成されるバリを小さくし、フェライト基板100のクラック発生と保護用樹脂8の剥離を防止することができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
磁性絶縁基板と、該磁性絶縁基板の第1主面に形成された第1導体もしくは前記磁性絶縁基板の第2主面に形成された第2導体からなる前記磁性絶縁基板の第1主面に形成された第1導体と前記磁性絶縁基板の第2主面に形成された第2導体と前記磁性絶縁基板を貫通する貫通孔に形成された接続導体とをそれぞれ接続してなるコイル導体と、前記磁性絶縁基板の第1主面と第2主面の外周部にそれぞれ複数個形成され前記磁性絶縁基板を貫通する第2接続導体を介して互いに接続し、前記磁性絶縁基板を挟んで対向する第1端子電極および第2端子電極と、前記第1、第2導体上と前記磁性絶縁基板上を被覆する保護用樹脂とからなる薄膜磁気誘導素子を有する超小型電力変換装置の製造方法において、
複数個に切断して該磁性絶縁基板となる磁性絶縁基材に、前記薄膜磁気誘導素子を複数個形成する工程と、隣接する2個の前記第2端子電極となる金属膜と前記保護用樹脂と前記磁性絶縁基材に前記金属膜の中央部を通る直線上に第2溝を形成する工程と、隣接する前記第1端子電極が前記保護用樹脂を挟んで対向して形成され、該保護用樹脂と該保護用樹脂下の前記磁性絶縁基材に、直線状の前記第2溝に達する直線状の第1溝を形成して、前記薄膜磁気誘導素子を単体に分離する工程を含むことを特徴とする超小型電力変換装置の製造方法。
IPC (3):
H01F 17/00
, H01F 17/04
, H01F 41/04
FI (4):
H01F17/00 C
, H01F17/00 G
, H01F17/04 F
, H01F41/04 C
F-Term (9):
5E062DD01
, 5E062FF01
, 5E070AB02
, 5E070BA12
, 5E070CB06
, 5E070CB13
, 5E070CB17
, 5E070EA01
, 5E070EB03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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超小型電力変換装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-224578
Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-239863
Applicant:富士電機株式会社
Cited by examiner (9)
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超小型電力変換装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-224578
Applicant:富士電機ホールディングス株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-239863
Applicant:富士電機株式会社
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高周波部品の製造方法及び高周波部品チップ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-233861
Applicant:多摩電気工業株式会社
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電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-187875
Applicant:株式会社村田製作所
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基板の切断方法、及び液晶表示装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-202566
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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特開平2-260670
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表面実装型電子部品及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-251316
Applicant:株式会社村田製作所
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半導体ウェーハ、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-230290
Applicant:日本電気株式会社
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薄膜チップ部品及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-104018
Applicant:株式会社トーキン
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