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J-GLOBAL ID：200903063280979314

半導体発光素子

Inventor：
種谷 元隆

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神川 剛

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毛利 裕一

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近藤 雅文

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山田 英司

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Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

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Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998368718
Publication number (International publication number)：2000196143
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 量子井戸活性層を有する窒化ガリウム系半導体発光素子(LED)の発光強度の向上と単色性の改善を実現し、さらに半導体レーザの閾値電流の低減と高信頼性の確保を図る。【解決手段】 InaGa1-aN量子井戸活性層に接してn側にInxGa1-xN(0.03≦x≦a-0.1)のn側緩衝層を、p側にInyGa1-yN(0.03≦y≦a-0.15)のp側緩衝層を、いずれも厚さ3nm以上25nm以下の範囲で形成する。
Claim (excerpt)：
n型GaN系クラッド層と、InaGa1-aN量子井戸層(0.15≦a≦1)からなる活性層と、p型GaN系コンタクト層と含む窒化ガリウム系半導体発光素子において、活性層はInxGa1-xN-n側緩衝層(0.03≦x≦a-0.1)とInyGa1-yN-p側緩衝層(0.03≦y≦a-0.15)の両方に接するように挟まれて形成されており、InxGa1-xN-n側緩衝層とInyGa1-yN-p側緩衝層の層厚はそれぞれ3nm以上25nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
F-Term (26)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CB11 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB08 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 3族窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-308251   Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317848   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 半導体レーザー装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-183001   Applicant：松下電器産業株式会社
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