Pat
J-GLOBAL ID:200903068696370345

プラズマディスプレイ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002027843
Publication number (International publication number):2003228320
Application date: Feb. 05, 2002
Publication date: Aug. 15, 2003
Summary:
【要約】【課題】 プラズマディスプレイ装置において、スイッチング素子の個数が少なく放熱機構の小さい簡単な構成のサステイン回路を提供することを目的とする。【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト(SiC)、ダイヤモンド、窒化ガリウム(GaN)、酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。
Claim (excerpt):
プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、ワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
IPC (8):
G09G 3/28 ,  G09F 9/00 346 ,  G09G 3/20 621 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 670 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H04N 5/66 101
FI (8):
G09F 9/00 346 A ,  G09G 3/20 621 G ,  G09G 3/20 624 P ,  G09G 3/20 670 L ,  H04N 5/66 101 A ,  G09G 3/28 J ,  G09G 3/28 E ,  H01L 29/48 D
F-Term (30):
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104AA10 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5C058AA11 ,  5C058AB01 ,  5C058BA01 ,  5C058BA23 ,  5C058BA26 ,  5C058BB25 ,  5C080AA05 ,  5C080BB05 ,  5C080DD20 ,  5C080DD22 ,  5C080DD28 ,  5C080HH04 ,  5C080HH05 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ06 ,  5G435AA18 ,  5G435BB06 ,  5G435GG44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
Show all

Return to Previous Page