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J-GLOBAL ID:200903068696370345
プラズマディスプレイ装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002027843
Publication number (International publication number):2003228320
Application date: Feb. 05, 2002
Publication date: Aug. 15, 2003
Summary:
【要約】【課題】 プラズマディスプレイ装置において、スイッチング素子の個数が少なく放熱機構の小さい簡単な構成のサステイン回路を提供することを目的とする。【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、シリコン半導体に比べてバンドギャップが広いシリコンカーバイト(SiC)、ダイヤモンド、窒化ガリウム(GaN)、酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いる。
Claim (excerpt):
プラズマディスプレイパネルの電極にサステインパルス電圧を供給するサステイン回路を備え、このサステイン回路に、ワイドバンドギャップ半導体で作られたスイッチング素子を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
IPC (8):
G09G 3/28
, G09F 9/00 346
, G09G 3/20 621
, G09G 3/20 624
, G09G 3/20 670
, H01L 29/47
, H01L 29/872
, H04N 5/66 101
FI (8):
G09F 9/00 346 A
, G09G 3/20 621 G
, G09G 3/20 624 P
, G09G 3/20 670 L
, H04N 5/66 101 A
, G09G 3/28 J
, G09G 3/28 E
, H01L 29/48 D
F-Term (30):
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA06
, 4M104AA10
, 4M104CC03
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH20
, 5C058AA11
, 5C058AB01
, 5C058BA01
, 5C058BA23
, 5C058BA26
, 5C058BB25
, 5C080AA05
, 5C080BB05
, 5C080DD20
, 5C080DD22
, 5C080DD28
, 5C080HH04
, 5C080HH05
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ06
, 5G435AA18
, 5G435BB06
, 5G435GG44
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (14)
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特開平4-301676
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パルス回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-213647
Applicant:日本電気株式会社
-
表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-300859
Applicant:三菱電機株式会社
-
プラズマディスプレイパネルの駆動回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-041536
Applicant:日本電気株式会社
-
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-160339
Applicant:株式会社神戸製鋼所
-
ダイヤモンドトランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-011824
Applicant:株式会社神戸製鋼所
-
横型接合型電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-362384
Applicant:住友電気工業株式会社
-
金属酸化物トランジスタの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-057440
Applicant:株式会社三陽電機製作所
-
GaN系トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-133399
Applicant:古河電気工業株式会社
-
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-107247
Applicant:松下電器産業株式会社
-
縦型電界効果トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-119885
Applicant:古河電気工業株式会社
-
窓装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-253834
Applicant:鯨田雅信
-
特開平4-155379
-
プラズマディスプレイの駆動装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-149083
Applicant:日本電気株式会社
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