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J-GLOBAL ID:200903069017290830

蛍光X線分析方法及び試料構造の評価方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999304935
Publication number (International publication number):2001124711
Application date: Oct. 27, 1999
Publication date: May. 11, 2001
Summary:
【要約】【課題】 蛍光X線分析方法及び試料構造の評価方法に関し、微量元素の評価を高分解能、高感度で行い、また、薄膜構造とともに構成元素も同時に精度良く評価する。【解決手段】 分光していない白色X線或いは分光した単色X線のいずれかからなる一次X線1をX線ミラー2によって平行化或いは集光したのち、試料3の表面に全反射臨界角近傍の入射角で入射させ、試料3からの蛍光X線4を波長分散方式で測定する。
Claim (excerpt):
分光していない白色X線或いは分光した単色X線のいずれかからなる一次X線をX線ミラーによって平行化或いは集光したのち、試料の表面に全反射臨界角近傍の入射角で入射させ、前記試料からの蛍光X線を波長分散方式で測定することを特徴とする蛍光X線分析方法。
F-Term (20):
2G001AA01 ,  2G001BA04 ,  2G001BA15 ,  2G001CA01 ,  2G001DA01 ,  2G001DA02 ,  2G001DA06 ,  2G001DA10 ,  2G001EA02 ,  2G001EA09 ,  2G001GA01 ,  2G001GA13 ,  2G001KA01 ,  2G001KA11 ,  2G001KA20 ,  2G001LA20 ,  2G001SA02 ,  2G001SA10 ,  2G001SA29 ,  2G001SA30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 蛍光X線分析装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-237506   Applicant:富士通株式会社
  • 半導体評価装置及びその評価方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-189205   Applicant:株式会社東芝
  • 全反射X線分析装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-000012   Applicant:株式会社日立製作所
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