Pat
J-GLOBAL ID:200903069017290830
蛍光X線分析方法及び試料構造の評価方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999304935
Publication number (International publication number):2001124711
Application date: Oct. 27, 1999
Publication date: May. 11, 2001
Summary:
【要約】【課題】 蛍光X線分析方法及び試料構造の評価方法に関し、微量元素の評価を高分解能、高感度で行い、また、薄膜構造とともに構成元素も同時に精度良く評価する。【解決手段】 分光していない白色X線或いは分光した単色X線のいずれかからなる一次X線1をX線ミラー2によって平行化或いは集光したのち、試料3の表面に全反射臨界角近傍の入射角で入射させ、試料3からの蛍光X線4を波長分散方式で測定する。
Claim (excerpt):
分光していない白色X線或いは分光した単色X線のいずれかからなる一次X線をX線ミラーによって平行化或いは集光したのち、試料の表面に全反射臨界角近傍の入射角で入射させ、前記試料からの蛍光X線を波長分散方式で測定することを特徴とする蛍光X線分析方法。
F-Term (20):
2G001AA01
, 2G001BA04
, 2G001BA15
, 2G001CA01
, 2G001DA01
, 2G001DA02
, 2G001DA06
, 2G001DA10
, 2G001EA02
, 2G001EA09
, 2G001GA01
, 2G001GA13
, 2G001KA01
, 2G001KA11
, 2G001KA20
, 2G001LA20
, 2G001SA02
, 2G001SA10
, 2G001SA29
, 2G001SA30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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蛍光X線分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-237506
Applicant:富士通株式会社
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半導体評価装置及びその評価方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-189205
Applicant:株式会社東芝
-
全反射X線分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-000012
Applicant:株式会社日立製作所
-
電磁波による分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-102146
Applicant:ソニー株式会社
-
全反射蛍光X線分析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-273976
Applicant:株式会社テクノス研究所
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特開昭61-088128
-
膜厚測定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-125947
Applicant:株式会社テクノス研究所
-
蛍光X線分析装置および方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-208866
Applicant:理学電機工業株式会社, 理化学研究所
-
部材の識別装置及び識別方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-073883
Applicant:日本電信電話株式会社
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