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J-GLOBAL ID：200903022856590010

バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法

Inventor：
ウィークス,ティー・ウォーレン

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パイナー,エドウィン・エル

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ボルゲス,リカルド・エム

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リンティカム,ケビン・エム

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Applicant, Patent owner：
ニトロネックス・コーポレーション

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Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  細川 伸哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002568431
Publication number (International publication number)：2004530289
Application date： Feb. 22, 2002
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
本発明には、バックサイドビアを有する窒化ガリウム材料デバイスおよびそのデバイスを形成する方法を提供することが含まれる。そのデバイスには、シリコンなどの基体上に形成される窒化ガリウム材料が含まれる。デバイスは、また、基体と窒化ガリウム材料との間に1つ以上の非伝導層を含んでもよく、それは窒化ガリウム材料の付着を手助けできる。ビアが与えられ、非伝導層を通ってデバイスのバックサイドから延びて、ビア内に付着させた電気コンタクトと、例えば、デバイスのトップサイド上の電気コンタクトとの間の電気伝導を可能とする。かくて、本発明のデバイスは、垂直伝導であり得る。他の場合において、ビアは、例えば、光抽出を高めるために、電気コンタクトを有さなくてもよい。典型的なデバイスには、なかんずく、レーザーダイオード(LDs)、発光ダイオード(LEDs)、パワー整流ダイオード、FETs(例、HFETs)、Gunn効果ダイオードおよびバラクタダイオードが含まれる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基体のバックサイドから延びる少なくとも1つのビアを有する基体; 前記ビア中に形成される電気コンタクト:および 前記基体上に形成される窒化ガリウム材料領域 を含む半導体構造物。
IPC (7)：
H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (5)：
H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/80 U ,  H01L29/48 F
F-Term (34)：
4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF27 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F073AA53 ,  5F073CA02 ,  5F073DA21 ,  5F073DA30 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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