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J-GLOBAL ID：200903071177979970

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor：
八木澤 隆

About 八木澤 隆


Applicant, Patent owner：
住友ベークライト株式会社

About 住友ベークライト株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999087838
Publication number (International publication number)：2000281870
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：
【要約】【課題】 薄型半導体装置への充填性と離型性に優れ、且つ半導体装置の耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、一般式(2)で示されるフェノール樹脂、溶融シリカ粉末、硬化促進剤、及び離型剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、離型剤が酸価10〜30の酸化ポリオレフィン、酸価10〜30の酸化パラフィン類から選択される1種以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(式中のRは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1から9までのアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い、nは平均値で、1〜5の正数)【化2】(式中のRは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1から9までのアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い、nは平均値で、1〜5の正数)
Claim (excerpt)：
(A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)溶融シリカ粉末、(D)硬化促進剤、及び(E)離型剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、(E)離型剤が酸価10〜30の酸化ポリオレフィン、酸価10〜30の酸化パラフィン類から選択される1種以上であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(式中のRは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1から9までのアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い、nは平均値で、1〜5の正数)【化2】(式中のRは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1から9までのアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い、nは平均値で、1〜5の正数)
IPC (7)：
C08L 63/00 ,  C08G 59/24 ,  C08K 3/36 ,  C08L 23/30 ,  C08L 91/06 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (8)：
C08L 63/00 B ,  C08L 63/00 A ,  C08L 63/00 C ,  C08G 59/24 ,  C08K 3/36 ,  C08L 23/30 ,  C08L 91/06 ,  H01L 23/30 R
F-Term (53)：
4J002AE033 ,  4J002BB253 ,  4J002CC07X ,  4J002CD06W ,  4J002DJ016 ,  4J002EF057 ,  4J002EG037 ,  4J002EG047 ,  4J002EH017 ,  4J002EP017 ,  4J002FD163 ,  4J002FD167 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA02 ,  4J036AC01 ,  4J036AD04 ,  4J036AD05 ,  4J036AD08 ,  4J036AD12 ,  4J036AE07 ,  4J036AF06 ,  4J036AF08 ,  4J036AF10 ,  4J036DB07 ,  4J036DB10 ,  4J036DC06 ,  4J036DC09 ,  4J036DC40 ,  4J036DD07 ,  4J036DD09 ,  4J036FA05 ,  4J036FA10 ,  4J036FA14 ,  4J036FB02 ,  4J036FB07 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EA06 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB13 ,  4M109EB19 ,  4M109EC01 ,  4M109EC03 ,  4M109EC05 ,  4M109EC09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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