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J-GLOBAL ID：200903072448792583

光飛行時間型距離センサ

Inventor：
川人 祥二

About 川人 祥二


Applicant, Patent owner：
国立大学法人静岡大学

About 国立大学法人静岡大学


Agent (1)： 梅村 勁樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004041057
Publication number (International publication number)：2005235893
Application date： Feb. 18, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：
【課題】これまでの光の反射時間測定による距離画像センサは、CCDプロセスとCMOSプロセスとを必要としているため、高価格であった。低価格にするためには、標準的なCMOSプロセスにできる限り少ない工程の追加で実現できることが望ましい。 【解決手段】本発明は、標準CMOSプロセス、またはそれに簡単な工程を追加することにより、低コストで高性能な距離画像センサを実現する。シリコン基板(20)上に酸化膜(3)を設け、その上に電荷転送用のフォトゲート電極(1,2)を2つ設ける。酸化膜の縁部には受光層(4)からの電荷取りだし用の浮遊拡散層(5,6)を設けるとともに、その外側にリセット用ゲート電極及びリセット電位供給用の拡散層を設ける。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
光源から投射された繰り返しパルス光が測定対象物によりはね返ってきたときの遅れ時間に依存した信号を取り出すことにより距離測定を行うセンサにおいて、半導体基板(20)上に設けられる絶縁層(3)と、該絶縁層(3)上に近接配置された導電性かつ測定対象の波長の光に対して透過性のある2つのフォトゲート電極(1,2)と、前記フォトゲート電極のそれぞれに対して、その端部の下層に設けられた第1の浮遊拡散層(5,6)とからなり、前記2つのフォトゲート電極下及び前記2つのフォトゲート電極のギャップ下の半導体基板を受光層(4)として用いることを特徴とする光飛行時間型距離センサ。
IPC (2)：
H01L27/14 ,  G01C3/06
FI (2)：
H01L27/14 Z ,  G01C3/06 Z
F-Term (14)：
2F112AD01 ,  2F112BA07 ,  2F112BA09 ,  2F112CA12 ,  2F112DA15 ,  2F112DA28 ,  4M118AA10 ,  4M118AB03 ,  4M118BA06 ,  4M118CA07 ,  4M118CB14 ,  4M118DB06 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第6323942号明細書
  • 距離画像撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-098478   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
  • 固体撮像素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-238951   Applicant：理化学研究所, 市川道教
Cited by examiner (12)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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