低減された温度で窒化チタンの金属有機化学気相堆積をする方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032135
Publication number (International publication number)：2000286215
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】金属有機物の熱分解を利用し、窒化チタン膜のコンパウンド気相堆積をするプロセスを開示する。【解決手段】特に、テトラキスジメチルアミノチタン(TDMAT)からの窒化チタン膜の堆積はヘリウムと窒素を存在させ、好ましくは350度以下の温度で行われる。プロセスは約5torrの全圧、少なくとも500sccm、好ましくは1000sccmの窒素希釈ガス流量、少なくとも500sccmのエッジパージガス流量で実行される。ウェーハと加熱したペデスタルとの間の改善された熱伝導に結びつくこれらのパラメータは少なくとも6オングストローム/秒という速度での窒化チタン膜の均一な堆積を約束する。

Claim (excerpt)：

基板を処理する方法であって、前記基板を収容したチャンバに金属有機コンパウンドと、希釈ガスと、少なくとも約500sccmなる流速のパージガスとを供給し少なくとも約2torrの圧力をチャンバの内部に形成するステップと、前記基板を加熱し前記金属有機コンパウンドの熱分解を発生させて前記基板上に膜を形成するステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 , C23C 16/34 , C23C 16/46

FI (3)：

H01L 21/285 C , C23C 16/34 , C23C 16/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

薄膜作製方法および薄膜作製装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-229392 Applicant：アネルバ株式会社
化学蒸着法により窒化チタンを基板に蒸着させる方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-051650 Applicant：エルエスアイロジックコーポレーション
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-254473 Applicant：日本電気株式会社

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