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J-GLOBAL ID：200903074077778160

誘電体薄膜のMOCVD方法およびアニール方法

Inventor：
斎藤 正樹

About 斎藤 正樹


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996338225
Publication number (International publication number)：1998182300
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 T2 O5 やペロブスカイト系誘電体薄膜のリーク電流を低減し、絶縁耐圧を向上する。【解決手段】 有機金属化合物とオゾンとを原料ガスとしたMOCVD方法を採用する。また、成膜装置内でIn-situでオゾンアニールする。【効果】 誘電体薄膜中の残留有機成分が効果的に除去され、また構造欠陥も低減される。
Claim (excerpt)：
有機金属化合物ガスと、酸化性ガスとを用いる誘電体薄膜のMOCVD方法であって、前記酸化性ガスは、オゾンを含むことを特徴とする誘電体薄膜のMOCVD方法。
IPC (5)：
C30B 33/02 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (5)：
C30B 33/02 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
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