加速度センサ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006131755
Publication number (International publication number)：2007303928
Application date： May. 10, 2006
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：

【課題】耐衝撃性を劣化させずに感度を向上させる。【解決手段】錘30と、台座20と、梁40と、ピエゾ抵抗素子50とを備えている。錘は、加速度を受けて変位する。台座は、錘の周囲に、錘と離間して配置されている。梁は、一端が錘に接続され、及び他端が台座に接続されている。ここで、梁は、厚膜部42と、厚膜部よりも厚みが薄い薄膜部44とを備えている。ピエゾ抵抗素子は、厚膜部と薄膜部とに渡って形成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

加速度を受けて変位する錘と、該錘の周囲に、該錘と離間して配置されている台座と、一端が前記錘に接続され、及び他端が前記台座に接続された梁とを備え、前記梁は、厚膜部と該厚膜部よりも厚みが薄い薄膜部とを備えており、ピエゾ抵抗素子が、前記厚膜部と前記薄膜部とに渡って形成されていることを特徴とする加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P15/12 D , H01L29/84 A

F-Term (12)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA27 , 4M112DA02 , 4M112DA04 , 4M112DA11 , 4M112EA06 , 4M112EA18 , 4M112FA01 , 4M112FA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-166007 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-148979 Applicant：松下電工株式会社
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-331362 Applicant：松下電工株式会社

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Cited by examiner (10)

半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-331362 Applicant：松下電工株式会社
電気機械変換器とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-426011 Applicant：シチズン時計株式会社
特開平4-249727

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