半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000316964
Publication number (International publication number)：2002124579
Application date： Oct. 17, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】膜厚が薄いゲート絶縁膜を有するMISFETと膜厚が厚いゲート絶縁膜を有するMISFETとが混在する半導体装置において、膜厚が厚いゲート絶縁膜を有するMISFETのホットキャリヤ耐性を向上させる。【解決手段】基板10の第1領域に厚い膜厚のゲート酸化膜(厚膜酸化膜)14を形成し、第2領域に薄い膜厚のゲート酸化膜(薄膜酸化膜)15を形成した後、これらのゲート酸化膜14、15に酸窒化処理を施す工程と、これらのゲート酸化膜14、15上にゲート電極1a〜1dを形成する工程と、ゲート電極1a〜1dを形成する工程の前または後に、厚い膜厚のゲート酸化膜(厚膜酸化膜)14と基板10との界面の少なくとも一部に、窒素または窒素原子を含むイオンを注入することによって、高酸窒化領域112を形成する工程とを有している。

Claim (excerpt)：

第1ゲート絶縁膜を有する第1MISFETと、前記第1MISFETよりも膜厚が厚い第2ゲート絶縁膜を有する第2MISFETとを備えた半導体装置であって、前記第2ゲート絶縁膜と半導体基板との界面の少なくとも一部に、前記第1ゲート絶縁膜と前記半導体基板との界面に存在する量と比べ、膜厚の逆比で決まる量以上の窒素が含有されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/43

FI (5)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/08 321 D , H01L 27/08 321 K , H01L 27/10 621 C , H01L 29/62 G

F-Term (74)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE08 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG16 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB16 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BG14 , 5F048DA27 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083GA11 , 5F083GA24 , 5F083GA27 , 5F083GA28 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR36 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-157012 Applicant：三菱電機株式会社
ダイナミックメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-181178 Applicant：富士通株式会社
MOS型半導体集積回路とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-027310 Applicant：ソニー株式会社

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