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J-GLOBAL ID：200903079644324533

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 浦岡 行治 ,  道林 亜希子 ,  筒 博司 ,  川村 哲也 ,  吉岡 達男 ,  宮田 豊
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996046340
Publication number (International publication number)：1997246555
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 シリコン薄膜に注入した不純物の活性化と、不純物注入により生じたシリコン薄膜のダメージの回復とを同時に行うことのできる薄膜トランジスタの製造方法を実現する。【解決手段】 ガラス基板10の上に酸化膜15を堆積し、この酸化膜15上にアモルファスシリコン薄膜20を堆積し、このアモルファスシリコン薄膜20の上にレジスト30を塗布し、ゲート電極と同じパターンに成形する。レジスト30をマスクにして、燐をイオンドープし、ソース・ドレイン領域60を形成する。レジスト30を除去し、アモルファスシリコン薄膜20上からハロゲンランプを用いたランプ光照射50によるアニールを実施する。ランプ光照射50によって、アモルファスシリコン薄膜20は結晶化され、また、不純物の燐も活性化されるとともに、ドーピングにより生じたダメージも回復する。その後、ゲート絶縁膜70およびゲート電極80を形成する。

Claim (excerpt)：

アモルファスシリコン薄膜に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記不純物を注入したアモルファスシリコン薄膜にランプ光を照射してランプアニール処理を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 27/12

FI (6)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/26 L ,  H01L 29/78 616 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開昭58-206121
  
• 液晶表示パネル及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218584   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置、半導体装置の製造方法、表示装置及び表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-199979   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平4-340725
  
• MISトランジスタの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-359156   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-240732
  
• 薄膜トランジスターの製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-257897   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-220594   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電子回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-360192   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-018946   Applicant：セイコーエプソン株式会社