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J-GLOBAL ID：200903029559617346

窒化物半導体素子の製造方法

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016951
Publication number (International publication number)：2000216502
Application date： Jan. 26, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【目的】共振器方向とレーザ出射面との間のずれをなくし、歩留を向上させ、良好なレーザ素子を得る。【構成】あらかじめ第1のオリフラ面が設けられている基板平面上に、素子構造となる窒化物半導体を積層させる前に、前記基板を、劈開することにより、第2のオリフラ面を少なくとも1つ形成する。
Claim (excerpt)：
あらかじめ第1のオリフラ面が設けられている基板平面上に気相成長法を用いて窒化物半導体をエピタキシャル成長させる窒化物半導体素子の製造方法において、素子構造となる窒化物半導体を積層させる前に、前記基板を、劈開することにより、第2のオリフラ面を少なくとも1つ形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C
F-Term (18)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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