薄膜形成方法、薄膜形成装置及び太陽電池

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (3)：中西次郎 , 中西次郎 , 中西次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000267554
Publication number (International publication number)：2002069653
Application date： Sep. 04, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、大型基板に、膜厚均一性に優れた薄膜を形成でき、更には、高スループット化可能な薄膜形成方法及び装置を提供することを目的とする。また、特性に優れしかも低コストの太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】内部に、中央で折り返した形状を有しその両端部に高周波電力の給電部と接地部とを設けた誘導結合型電極を同一平面内に複数個平行に配置した成膜室と、前記給電部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記給電部に供給される高周波電力の位相を制御する手段と、高周波電力のAM変調を行う波形発生器と、からなり、前記複数の誘導結合型電極の隣り合う給電部での高周波の位相を互いに逆位相とし、かつAM変調した高周波電力を前記誘導結合型電極に供給してプラズマを発生させ、前記誘導結合型電極に面して配置された基板上に薄膜を形成する構成としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

中央で折り返した形状を有しその両端部に高周波電力の給電部と接地部とを設けた誘導結合型電極を同一平面内に複数個平行に設置し、前記複数の誘導結合型電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、前記誘導結合型電極に面して配置された基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記給電部に供給する高周波電力の位相を隣り合う給電部で互いに逆位相とし、かつAM変調することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/505 , H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (3)：

C23C 16/505 , H01L 21/205 , H01L 31/04 V

F-Term (27)：

4K030AA06 , 4K030BA40 , 4K030FA04 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030LA11 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AE17 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045EH04 , 5F045EH11 , 5F045EH20 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CA16 , 5F051CA23 , 5F051CA34 , 5F051DA03 , 5F051DA04 , 5F051DA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ化学蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-278890 Applicant：三菱重工業株式会社
プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-253661 Applicant：三菱重工業株式会社
プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-347797 Applicant：キヤノン株式会社

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