半導体発光装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021799
Publication number (International publication number)：1999220167
Application date： Feb. 03, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光素子の姿勢の均一化によって配光性を安定させるとともに成形工数も少なくして生産性の向上が可能な半導体発光装置の提供。【解決手段】静電保護用のツェナーダイオード7にフリップチップ型の半導体発光素子1を搭載し、この半導体発光素子1のp側及びn側の電極3,2をツェナーダイオード7の電極7b,7aに導通接続し、搭載面側と反対側の面を主光取出し面とする半導体発光装置において、p側及びn側の電極3,2を、半導体発光素子1のp型層1c及びn型層1bのそれぞれの表面に金属蒸着膜によって形成し、これらの電極3,2の厚さによって半導体発光素子1と搭載面及びその電極との間に短絡干渉がない隙間を形成する。

Claim (excerpt)：

基板またはリードフレーム等の基材の搭載面にフリップチップ型の半導体発光素子を搭載し、この半導体発光素子のp側及びn側の電極を搭載面側の対応する電極に導通接続し、前記搭載面側と反対側の面を主光取出し面とするGaN系の半導体発光装置において、前記p側及びn側の電極を、前記半導体発光素子のp型層及びn型層のそれぞれの表面に金属蒸着膜によって形成し、これらの電極の厚さによって半導体発光素子と搭載面及びその電極との間に短絡干渉がない隙間を形成可能としてなる半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

青色発光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-289495 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114942 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-185340 Applicant：豊田合成株式会社

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