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J-GLOBAL ID：200903081255602972

III族窒化物素子の不動態化およびその方法

Inventor：
ビーチ・ロバート

About ビーチ・ロバート


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーション

About インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーション


Agent (1)： 特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006542811
Publication number (International publication number)：2007519231
Application date： Dec. 06, 2004
Publication date： Jul. 12, 2007
Summary：
【課題】【解決手段】III族窒化物半導体素子およびその製造方法の実施形態は、高温処理中にIII族窒化物材料に損傷を与えずに、素子のコンタクトを形成することを可能にする低抵抗の不動態化層を備えてよい。不動態化層は、素子全体を不動態化するために用いられてよい。不動態化層は、さらに、素子のコンタクトと活性層との間に設けられて、導電のための低抵抗の電流路を提供してもよい。この不動態化処理は、FET、整流器、ショットキダイオードなど、任意の種類の素子に用いて、破壊電圧を改善すると共に、コンタクトの接合部付近の電界集中効果を防止してよい。不動態化層は、外部拡散に関してIII族窒化物素子に影響を与えない低温アニールで活性化されてよい。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体素子であって、 異なる格子定数を有する2つのIII族窒化物材料の間の界面に形成された導電チャネルと、 前記チャネルに接続され、チャネル電流を伝導する電極と、 前記電極と前記チャネルとの間の不動態化層と、を備え、 前記不動態化層は、中断した領域を有し、前記素子における電流は、前記不動態化層の前記中断した領域を通して流れる、素子。
IPC (7)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (6)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/50 M ,  H01L29/50 J ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 F
F-Term (36)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH04 ,  4M104HH05 ,  4M104HH15 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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