レジストパターンの形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996091938
Publication number (International publication number)：1997258459
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】微細なレジストパターンを精度よく形成することができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】ウェハー上にレジストを形成し、レジストを露光した後、ウェハー上に現像ノズルから現像液を吐出してレジストを現像することによりレジストパターンを形成する場合に、レジストとして粒径0.3μm以上のダスト粒子の数が40個/ml以下であるものを用いる。レジスト上に反射防止膜を形成してからレジストを露光する場合には、その反射防止膜形成用の材料としても、粒径0.3μm以上のダスト粒子の数が40個/ml以下であるものを用いる。

Claim (excerpt)：

基板上にレジストを形成し、上記レジストを露光した後、上記レジストが形成された上記基板上に現像液供給用ノズルから現像液を吐出して上記レジストの現像を行うことによりレジストパターンを形成するようにしたレジストパターンの形成方法において、上記レジスト中の粒径0.3μm以上のダスト粒子の数が40個/ml以下であることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/30 502 , G03F 7/004 501 , G03F 7/11 501 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/30 502 , G03F 7/004 501 , G03F 7/11 501 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 569 C , H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

溶剤、溶液型キノンジアジド系感光剤、フォトレジスト組成物および洗浄液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-209739 Applicant：住友化学工業株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-291852 Applicant：凸版印刷株式会社
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042271 Applicant：凸版印刷株式会社

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