半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003166933
Publication number (International publication number)：2005005468
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】半導体レーザおよびその製造方法において、電流-光変換効率の各ロット間のばらつきを解消する。【解決手段】InP基板1上に順に設けられたInPバッファ層2、活性層3およびInPクラッド層4を有するメサ部8と、メサ部8の側面およびInP基板1上に設けられたp型InPブロック層10と、第1の領域S1、第1の領域S1とメサ部8との間に設けられた第2の領域S2および第1の領域S1と第2の領域S2との間に設けられた段差9a含みp型InPブロック層10上に設けられたn型InPブロック層11とを有する埋込ブロック部12とを設けて、半導体レーザ20とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に順に設けられた第1導電型の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層を有するメサ部と、前記メサ部の側面および前記半導体基板上に設けられた第2導電型の第1の半導体ブロック層と、該第1の半導体ブロック層に接していない第1の領域、該第1の領域と前記メサ部との間に設けられた第2の領域および該第1の領域と前記第2の領域との間に設けられた段差を含み前記第1の半導体ブロック層上に設けられた第1導電型の第2の半導体ブロック層とを有する埋込ブロック部とを設けたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (1)：

H01S5/227

FI (1)：

H01S5/227

F-Term (10)：

5F073AA03 , 5F073AA21 , 5F073AA72 , 5F073CA12 , 5F073CB02 , 5F073CB11 , 5F073CB14 , 5F073DA05 , 5F073DA23 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-055109 Applicant：アンリツ株式会社
半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-162437 Applicant：株式会社東芝
半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-271083 Applicant：株式会社東芝

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